空洞率可达到低于5%以下
通过大幅度提高助焊剂的流动性,
实现了比常规产品极少的空洞
抑制空洞
实现5%以下极少空洞!
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N2 回焊
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大气回焊
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组件形状
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LGA
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QFN
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空洞产生率 4.2%
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空洞产生率 4.3%
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Power Transistor TO263 |
空洞产生率 2.6%
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空洞产生率 4.2%
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* 對應多種元件和大氣回流焊
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基本特性 NP303-CQV-1K
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合金成分
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Sn-3.0Ag-0.5Cu
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熔点
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217℃~219℃
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♦ 低空洞
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粉末粒径
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Type4
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卤素含量
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0.06wt%±0.02
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