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NP303-CQV-1K


空洞率可达到低于5%以下

通过大幅度提高助焊剂的流动性,
实现了比常规产品极少的空洞

 

 

抑制空洞

 

实现5%以下极少空洞!

 

N回焊

 

大气回焊

 

组件形状

 

LGA

 

 

 

 

QFN

 

 

空洞产生率 4.2%

 

空洞产生率 4.3%

 

 

 

Power Transistor TO263

空洞产生率 2.6%

空洞产生率 4.2%

 

* 對應多種元件和大氣回流焊

 

 


 

 

 

   基本特性       NP303-CQV-1K

 


 

合金成分

 


 

Sn-3.0Ag-0.5Cu

 


 

熔点

 


 

217℃~219℃

 


♦ 低空洞

 

粉末粒径

 


 

Type4

 


 

卤素含量

 

0.06wt%±0.02